【據(jù)美國斯坦福大學(xué)網(wǎng)站2019年4月25日報道】美國斯坦福大學(xué)的科研人員將聚合物基氧化還原晶體管與導(dǎo)電橋存儲器(CBM)進(jìn)行了集成，制成了研究人員稱為“離子浮柵內(nèi)存”(IFG)的非易失性、可尋址的突觸存儲器。這種人工突觸的工作原理類似電池，通過調(diào)高或調(diào)低兩個端子間的電力流動來模擬人腦神經(jīng)元的學(xué)習(xí)過程，并允許進(jìn)行并行編程。通過稀釋絕緣通道中的導(dǎo)電聚合物，研究人員可以將突觸權(quán)重的讀取電流降到10納安以下。研究人員利用這種IFG構(gòu)造了一個3X3的人工突觸陣列進(jìn)行驗(yàn)證，結(jié)果顯示其性能超出預(yù)期，能效要比現(xiàn)有計(jì)算技術(shù)高超一個數(shù)量級，氧化還原晶體管經(jīng)受10億次“讀寫”操作后性能未發(fā)生任何變化，并能支持超過1兆赫的“讀寫”頻率。研究人員還對一個由1024X1024IFG陣列構(gòu)成的數(shù)字加速器的性能進(jìn)行仿真評估，結(jié)果顯示，與目前的14/16納米的8位SDRAM技術(shù)相比，能效提升476倍、延遲降低16倍、面積減小9.5倍。該研究得到了美國桑迪亞國家實(shí)驗(yàn)室、美國能源部、美國國家科學(xué)基金會等機(jī)構(gòu)的贊助，相關(guān)論文《Parallel programming of an ionic floating-gate memory array for scalable neuromorphic computing》已在Science上發(fā)表。
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