【據(jù)美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)網(wǎng)站2019年5月28日?qǐng)?bào)道】美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)的科研人員發(fā)現(xiàn)，可通過(guò)摻雜碳?xì)?CH)分子來(lái)顯著改變單層原子厚度的半導(dǎo)體材料二硫化鎢(WS2)的電學(xué)性質(zhì)，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)證實(shí)。在摻雜前，WS2表現(xiàn)為單極N型傳導(dǎo)，隨著碳摻雜水平的增加，CH-WS2單層開(kāi)始出現(xiàn)P型分支，最終可完全轉(zhuǎn)換為P型。通過(guò)控制碳摻雜水平，可以在WS2中生成N+/P/N+和P+/N/P+結(jié)。當(dāng)前有關(guān)2D材料摻雜的論文不多，因?yàn)檫@個(gè)過(guò)程涉及很多復(fù)雜條件和過(guò)程。PSU團(tuán)隊(duì)的技巧是，使用等離子體輔助將甲烷的裂解溫度降低到400攝氏度。該研究得到了美國(guó)能源部科學(xué)辦公室基礎(chǔ)能源科學(xué)計(jì)劃的支持，相關(guān)論文《Carbon doping of WS2 monolayers: Bandgap reduction and p-type doping transport》已在Science Advances上發(fā)表。
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